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實驗檢測服務(wù)
細胞實驗
細胞遷移技術(shù)實驗
細胞遷移技術(shù)實驗介紹細胞遷移是指細胞在接收到遷移信號或感受到某些物質(zhì)的梯度后產(chǎn)生的移動,在胚胎發(fā)育、血管生成、傷口愈合、腫瘤轉(zhuǎn)移等多個過程中發(fā)揮重要作用,檢測細胞遷移能力常用細胞劃痕實驗和Transwell小室檢測兩種方法。
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細胞遷移是細胞在生理或病理條件下響應(yīng)化學梯度(趨化性)、機械信號或細胞間相互作用而發(fā)生的定向移動,涉及胚胎發(fā)育、免疫反應(yīng)、傷口愈合及腫瘤轉(zhuǎn)移等關(guān)鍵過程。實驗?zāi)康陌ǎ?/p>
評估遷移能力:如腫瘤細胞的侵襲性、藥物對遷移的抑制/促進作用。
機制研究:分析信號通路(如CCR7受體介導的遷移)、細胞骨架動態(tài)(如微管乙?;c肌動蛋白互作)對遷移的影響。
應(yīng)用開發(fā):篩選抗癌藥物、優(yōu)化免疫療法或組織工程策略。
方法 | 原理 | 優(yōu)點 | 局限性 | 適用場景 |
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劃痕實驗 | 人工制造單層細胞劃痕,觀察細胞填充空白區(qū)域的速度和范圍 | 成本低、操作簡單、兼容顯微鏡觀察 | 劃痕寬度不均、無法區(qū)分遷移與增殖 | 初步篩選、動態(tài)觀察(如腫瘤遷移) |
Transwell | 利用聚碳酸酯膜分隔上下室,細胞穿透膜孔遷移至下室 | 定量準確、可區(qū)分遷移與侵襲 | 需要特殊耗材、操作復(fù)雜 | 藥物篩選、趨化性研究 |
Oris™試劑盒 | 通過細胞接種塞形成檢測區(qū),移除后觀察遷移 | 重復(fù)性高、可包被ECM模擬體內(nèi)環(huán)境 | 試劑盒成本較高 | 實時監(jiān)測、高通量分析 |
微流體系統(tǒng) | 構(gòu)建微通道模擬體內(nèi)梯度,追蹤單細胞遷移 | 高精度、可分析趨化梯度 | 設(shè)備昂貴、技術(shù)要求高 | 機制研究、單細胞行為分析 |
選擇建議:
初步研究:優(yōu)先選擇劃痕實驗(成本低)或Oris™試劑盒(重復(fù)性高)。
定量分析:采用Transwell結(jié)合結(jié)晶紫染色或熒光標記。
機制探索:推薦微流體系統(tǒng)或活細胞成像(如共聚焦顯微鏡追蹤微管動態(tài))。
材料:6孔板、20 μL槍頭/滅菌牙簽、無血清培養(yǎng)基、PBS、ImageJ軟件。
步驟:
細胞準備:
接種細胞至6孔板,密度需過夜后達到100%融合(避免邊緣效應(yīng))。
若研究增殖影響,使用無血清培養(yǎng)基處理(濃度需預(yù)實驗優(yōu)化)。
劃痕制作:
用槍頭垂直劃兩條交叉線(確保劃痕寬度一致)。
推薦使用Culture Insert模具提高劃痕均一性。
清洗與培養(yǎng):
PBS輕柔清洗3次,去除脫落細胞碎片。
加入含處理因素(如藥物、基因編輯)的培養(yǎng)基。
圖像采集:
0小時、24小時(或根據(jù)細胞類型調(diào)整)拍攝固定位點(標記孔板底部輔助定位)。
使用相差顯微鏡或熒光顯微鏡(若標記細胞)。
數(shù)據(jù)分析:
長度法:測量劃痕邊緣間距,計算遷移距離(適用于遷移方向整齊的細胞)。
面積法:用ImageJ“魔棒工具"量化劃痕閉合百分比(推薦用于不規(guī)則遷移)。
關(guān)鍵優(yōu)化點:
控制溫度(37℃)和CO?濃度,避免環(huán)境波動影響遷移速度。
縮短劃痕后次拍照時間(≤1小時),減少細胞應(yīng)激反應(yīng)。
材料:Transwell小室(孔徑8 μm)、Matrigel(侵襲實驗)、結(jié)晶紫/DAPI染色液。
步驟:
小室預(yù)處理:
遷移實驗:上室加入無血清培養(yǎng)基,下室含10% FBS作為趨化劑。
侵襲實驗:上室預(yù)鋪Matrigel(4℃融化后1:8稀釋,37℃凝固1小時)。
細胞接種:
消化細胞后重懸于無血清培養(yǎng)基,調(diào)整密度至1–5×10?/mL。
加入上室(200 μL/孔),下室填充600 μL含血清培養(yǎng)基。
培養(yǎng)與染色:
37℃培養(yǎng)12–48小時(根據(jù)細胞遷移能力調(diào)整)。
棉簽擦除上室未遷移細胞,4%多聚甲醛固定,0.1%結(jié)晶紫染色20分鐘。
定量分析:
顯微鏡下隨機選取5視野計數(shù)遷移細胞。
或溶解結(jié)晶紫后測量OD570 nm值(高通量篩選推薦)。
注意事項:
Matrigel處理:避免反復(fù)凍融,鋪膠時保持液面水平防止厚度不均。
對照設(shè)置:需設(shè)空白對照(無細胞)和陽性對照(高遷移細胞系)。
細胞狀態(tài):使用對數(shù)生長期細胞,避免過度傳代導致遷移能力下降。
無菌操作:Transwell小室和培養(yǎng)基需嚴格滅菌,防止污染。
數(shù)據(jù)重復(fù)性:每組至少3個復(fù)孔,拍照時固定顯微鏡參數(shù)(如曝光時間)。
劃痕不均:改用Culture Insert模具或機械劃痕儀(如WoundMaker)。
細胞脫落:劃痕后PBS清洗力度需輕柔,或改用低吸附培養(yǎng)板。
細胞穿透率低:優(yōu)化細胞密度和培養(yǎng)時間,或預(yù)實驗驗證趨化劑濃度。
背景干擾:染色后充分清洗,避免殘留染料影響OD值。